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G-30B4型高精密双面光刻机

简介—— 一、 主要用途:本设备是我公司专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机,它主要用于中小规模集成

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一、 主要用途:

本设备是我公司专门针对各大专院校及科研单位对光刻机的使用特性研发的一种精密光刻机,它主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件的研制和生产。


二、 主要性能指标

1、曝光类型:单面、一次曝光;

2、曝光面积:110×110mm;

3、曝光照度不均匀性:≤±4%;

4、曝光强度:≤7mw/cm2;

5、紫外光中心波长:365nm;

6、曝光分辨率:1μm(用户的“版”、“片”精度必须符合国家规定,环境、温度、湿度、尘埃能得到严格控制,采用进口正性光刻胶,且匀胶厚度能得到严格控制,加之前后工艺先进);

11、曝光方式:接触曝光;

12、掩模版尺寸:≤127×127mm;

13、基片尺寸:≤ Φ100 mm(或者100×100mm);

14、基片厚度:≤5 mm;当您的基片厚度≤1mm时,我公司为本机配置标准承片台(不另计费),当基片厚度>1mm时,设备需配置专用承片台(订货时用户须说明,费用另议)。

15、曝光定时:0~999.9秒可调;

16、电源:单相AC220V  50HZ ,功耗≤1.5KW;

17、洁净空气压力:≥0.4MPa;

18、真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;

19.设备所需能源:

主机电源: 220V±10%   50HZ,1.5KW。

真空:-0.07~-0.08MPα。

20. G-30型高精密双面光刻机的组成:

由LED紫外曝光头、移动工作台、机架、电气控制系统构成。

21.附件如下:

主机附件:(出厂时安装到机器上)

127×127mm移动工作台

2台高均匀性汞灯曝光头。



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